Samsung é primeira fabricante de semicondutores a iniciar produção das novas V-NAND de 9ª geração, 33% mais rápidas e 10% mais eficientes energeticamente
24 de abril
2024
– 20h13
(atualizado às 20h25)
Nesta terça-feira (23), a Samsung anunciou estar iniciando a produção em massa das memórias V-NAND de 9ª geração, até 10% mais eficientes energeticamente em relação à geração anterior. A fabricante de semicondutores é a primeira a produzir as novas V-NANDque trazem suporte a interface Toggle 5.1, entregando velocidades de I/O de 3,2 GBps, até 33% superior ao Gen8.
As novas memórias ainda aumentam em 50% a densidade de bits, possibilitando entregar o menor e mais fino molde de células de memória do mercado.
“Por meio da nossa mais nova V-NAND, [a] Samsung irá continuar a definir as tendências e padrões para os mercados de SSDs de alto desempenho e alta densidade que atendam às demandas da geração da IA.”, afirmou SungHoi Hur, Chefe do Departamento de Produtos e Tecnologias Flash da Samsung Electronics.
Atendendo ao mercado de IA
Além da nova interface, a Samsung planeja utilizar a nova geração de memórias V-NAND para expandir o suporte aos barramentos PCIe 5.0solidificando sua posição no mercado de SSDs de alto desempenho.
O avanço é crucial para atender ao mercado crescente de produtos com IA embarcadauma vez que trabalhar com modelos LLM eles aplicações de IA generativa exigem soluções de armazenamento e memória muito maiores e mais rápidas.
Inicialmente a empresa iniciou a produção em massa de módulos com células em três níveis (TCL) de 1 terabit, e confirmou que os módulos com células em quatro níveis (QLC) chegam no segundo semestre.
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